Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de propósito general
- No. pines: 4
- Canales: 1
- Fototransistor y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 35V
- Ic (detector): 50mA
-
Hoja de datos
Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de proposito general
- No. pines: 6
- Canales: 1
- Fototransistor y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 30V
- Ic (detector): 50mA
-
Hoja de
datos
Disponibilidad: Si
Características:
-
Optoaislador de propósito general
- No. pines: 6
- Canales: 1
- Fototransistor en configuración Darlington y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 30V
- Ic (detector): 150mA
- Relación de transferencia de corriente (Min): 100% a 10mA
- Relación de transferencia de corriente (Max): ---
-
Hoja de
datos
Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de proposito general
- No. pines: 6
- Canales: 1
- Fototransistor en configuración Darlington y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 30V
- Ic (detector): 125mA
-
Hoja de
datos
Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de propósito general
- No. pines: 6
- Canales: 1
- Fototransistor y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 100V
- Ic (detector): 35mA
-
Hoja de
datos
Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de propósito general
- No. pines: 6
- Canales: 1
- Fototransistor y LED IR en encapsulado DIP
- Vceo (detector): 30V
- Ic (detector): 100mA
- También utilizado en sustituto del 4N35 y 4N36
-
Hoja de datos
Disponibilidad: Si
Características:
- Optoacoplador de montaje superficial SMD
- MCT6 optoacoplador doble
- No. de pines: 8
- Canales: 2
- Fototransistor y LED IR en encapsulado de superficie
- Vceo (detector): 30V
- Ic (detector): 30mA
-
Hoja de datos